2001 Oct 12 2
NXP Semiconductors
Product data sheet
Low-leakage double diode BAV199
FEATURES
?
Plastic SMD package
?
Low leakage current: typ. 3
pA
?
Switching time: typ. 0.8
μs
?
Continuous reverse voltage:
max.
75
V
?
Repetitive peak reverse voltage:
max.
85
V
?
Repetitive peak forward current:
max. 500
mA.
APPLICATION
?
Low-leakage current applications in
surface mounted circuits.
DESCRIPTION
Epitaxial, medium-speed switching,
double diode in a small SOT23 plastic
SMD package. The diodes are
connected in series.
MARKING
Note
1.
?
=
p: Made in Hong Kong.
?
=
t: Made in Malaysia.
?
=
W: Made in China.
TYPE NUMBER
MARKING
CODE(1)
BAV199
JY?
PINNING
PIN
DESCRIPTION
1
anode
2
cathode
3
anode; cathode
Fig.1 Simplified outline (SOT23) and symbol.
handbook, 4 columns
21
3
Top view
MAM107
21
3
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC
60134).
Note
1. Device mounted on a FR4 printed-circuit board.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
Per diode
VRRM
repetitive peak reverse voltage
?
85
V
VR
continuous reverse voltage
?
75
V
IF
continuous forward current
single diode loaded; note
1; see
Fig.2
?
160
mA
double diode loaded; note
1; see
Fig.2
?
140
mA
IFRM
repetitive peak forward current
?
500
mA
IFSM
non-repetitive peak forward
current
square wave; Tj
=
25
°C prior to surge;
see
Fig.4
tp
=
1
μs
?
4
A
tp
=
1
ms
?
1
A
tp
=
1
s
?
0.5
A
Ptot
total power dissipation
Tamb
=
25
°C; note
1
?
250
mW
Tstg
storage temperature
?65
+150
°C
Tj
junction temperature
?
150
°C
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